|
|
Южнокорейская фирма Samsung сказала про то, что скоро начинает производство первых микросхем мобильной памяти на подобии LPDDR4 с плотностью 8 Гбит. в собственном пресс-релизе фирма уточнила, что новейший стандарт изготавливается с соблюдением научно-технических норм 20-нм-класса, действенная частота данной памяти составляет 3200 МГц. Это в 2 раза превосходит возможности микросхем на подобии LPDDR3, издаваемых по подобной технологии. в Samsung кроме прочего заявили про то, что один модуль может уместить внутри себя до 4 кристаллов общим объемом 4 Гбайт. Энергопотребление новейшего решения понизилось на 40%. Массовое разработку подобных планок мобильной памяти Samsung развернет в первых числах 2014 г. При всем этом определенные СМИ уже говорят про то, что новый телефон Galaxy S5 получит 4 Гбайт оперативной памяти. Последнее помимо этого Это означает, что прибор будет основан на 64-разрядном процессоре, который имеет возможность быть показан в январе. Припомним, что глобальное разработку мониторов Для новейшего флагмана Samsung уже запустила. Про Это было оглашено на прошедшей неделе. Портал DDaily извещает, что видимая рабочая зона монитора нового флагмана от Samsung будет иметь диагональ 5, 2 дюйма, а структура " бриллиантовых " пикселей будет позаимствована у Galaxy S4 и Galaxy Note 3. Это, как и ранее, поспособствует улучшению четкости изображения. Разрешение AMOLED-дисплея Galaxy S5 составит 2560 х 1440 точек. Плотность размещения пикселей При объявленных данных вырастет до 560 точек на дюйм. Для новинки помимо этого будет доставляться LCD-версия дисплея с таким же разрешением .
|