Южнокорейская фирма Samsung сказала про то, что скоро начинает производство первых микросхем мобильной памяти на подобии LPDDR4 с плотностью 8 Гбит. �� ��обственном ��ресс-��елизе ��ирма ��точнила, ��то ��овейший ��тандарт ��зготавливается �� ��облюдением ��а��чно-��ехнических ��орм 20-��м-��ласса, ��ейственная ��астота ��анной ��амяти ��оставляет 3200 ��Гц. ��то �� 2 ��аза ��ревосходит ��озможности ��икросхем ��а ��одобии LPDDR3, ��здаваемых ��о ��одобной ��ехнологии. �� Samsung ��роме ��ро��его ��аявили ��ро ��о, ��то ��дин ��одуль ��ожет ��местить ��нутри ��ебя ��о 4 ��ристаллов ��бщим ��бъемом 4 ��байт. ��нергопотребление ��овейшего ��ешения ��онизилось ��а 40%. ��ассовое ��азработку ��одобных ��ланок ��обильной ��амяти Samsung ��азвернет �� ��ервых ��ислах 2014 г. ��ри ��сем ��том ��пределенные ��МИ ��же г��ворят ��ро ��о, ��то ��овый ��елефон Galaxy S5 ��олучит 4 ��байт ��перативной ��амяти. ��оследнее ��омимо ��того ��то ��значает, ��то ��рибор ��удет ��снован ��а 64-��азрядном ��ро��ессоре, ��оторый ��меет ��озможность ��ыть ��оказан �� ��нваре. ��рипомним, ��то г��обальное ��азработку ��ониторов ��ля ��овейшего ��лагмана Samsung ��же ��апустила. ��ро ��то ��ыло ��глашено ��а ��ро��едшей ��еделе. ��ортал DDaily ��звещает, ��то ��идимая ��абочая ��она ��онитора ��ового ��лагмана ��т Samsung ��удет ��меть ��иагональ 5, 2 ��юйма, �� ��труктура " ��риллиантовых " ��икселей ��удет ��озаимствована �� Galaxy S4 �� Galaxy Note 3. ��то, ��ак �� ��анее, ��оспособствует ��лучшению ��еткости ��зображения. ��азрешение AMOLED-��исплея Galaxy S5 ��оставит 2560 �� 1440 ��очек. ��лотность ��азмещения ��икселей ��ри ��бъявленных ��анных ��ырастет ��о 560 ��очек ��а ��юйм. ��ля ��овинки ��омимо ��того ��удет ��оставляться LCD-��ерсия ��исплея �� ��аким ��е ��азрешением .
|