Память DDR3 поступила в тестовое производство

Фирма Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила свежие модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8, 5 Гбайт/с.

Чипмейкер информирует, что уже во 2-ой части текущего года Фирма стартует тестовое производство представленных устройств, которые будут доставляться незначительному количеству партнеров организации. О пробном производстве говорит и используемый 90-нм техпроцесс - при старте массового производства чипов DDR3-��амяти Фирма планирует перейти на более совершенный 70-нм техпроцесс. Согласно планам Nanya Technology, массовое производство и поставки устройств на рынок стартуют только в 2008 году, а покуда официальные Уполномоченные чипмейкера заявляют, что производство устройств памяти DDR3 в ближайшей перспективе не станет приносить сколь заметной прибыли.

Основные параметры модулей типа DDR3:
- рабочее напряжение 1, 5 в;
- архитектура с 8-битной предвыборкой;
- наличие датчика температуры, размещенного конкретно на кристаллах чипов памяти;
- работа при выставленных значениях CAS-таймингов от 5 до 10;
- поддержка PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh) режимов работы для снижения энергопотребления;
- чипы памяти заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса .