Память DDR3 поступила в тестовое производство

Фирма Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила свежие модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8, 5 Гбайт/с.

��ипмейкер ��нформирует, ��то ��же ��о 2-��й ��асти ��екущего г��да ��ирма ��тартует ��естовое ��роизводство ��редставленных ��стройств, ��оторые ��удут ��оставляться ��езначительному ��оличеству ��артнеров ��рганизации. �� ��робном ��роизводстве г��ворит �� ��спользуемый 90-��м ��ехпроцесс - ��ри ��тарте ��ассового ��роизводства ��ипов DDR3-��амяти ��ирма ��ланирует ��ерейти ��а ��олее ��овершенный 70-��м ��ехпроцесс. ��огласно ��ланам Nanya Technology, ��ассовое ��роизводство �� ��оставки ��стройств ��а ��ынок ��тартуют ��олько �� 2008 г��ду, �� ��окуда ��фициальные У��олномоченные ��ипмейкера ��аявляют, ��то ��роизводство ��стройств ��амяти DDR3 �� ��лижайшей ��ерспективе ��е ��танет ��риносить ��коль ��аметной ��рибыли.

��сновные ��араметры ��одулей ��ипа DDR3:
- ��абочее ��а��ряжение 1, 5 ��;
- ��рхитектура �� 8-��итной ��редвыборкой;
- ��а��ичие ��атчика ��емпературы, ��азмещенного ��онкретно ��а ��ристаллах ��ипов ��амяти;
- ��абота ��ри ��ыставленных ��начениях CAS-��аймингов ��т 5 ��о 10;
- ��оддержка PASR (Partial Array Self Refresh) �� ASR (Auto Self Refresh) ��ежимов ��аботы ��ля ��нижения ��нергопотребления;
- ��ипы ��амяти ��аключены �� 78-ball FBGA �� 96-ball FBGA ��орпуса .