Американцы создали новый тип энергонезависимой памяти MRAM

Американская Фирма Freescale объявила о создании чипа магниторезистивной памяти - MRAM (Magnetoresistive RAM).

Среди отличительных особенностей MRAM можно выделить высокую резвость чтения а также записи, сравнимую с памятью Static RAM, и высокий уровень интеграции ячеек.

Хранение данных на чипе осуществляется за счет магнитных, а вовсе не электрических свойств. Так память является энергонезависимой, Т. Е. Информация сохраняется на ней даже после отключения питания. Запоминающий элемент MRAM аналогичен магниторезистивной головке жесткого диска.

Производство чипов MRAM объемом 4 ГБ началось на фабрике в Аризоне около 2-х месяцев назад. За прошедшее время был создан товарный запас. Разработка же данной технологии длилась специалистами Freescale в течении 10 лет.

большинство производители чипов, включая IBM, годами разрабатывали подобную технологию, однако Freescale первой получилось сделать чип, годный к практическому применению в большинстве современных электронных устройствах.

по отзывам экспертов, разработку чипа MRAM является наиболее значимым достижением в области памяти за последнее десятилетие. В противоположность от флэш-памяти, также способной хранить данные без подачи питания, MRAM обладает большей скоростью чтения/записи а также не теряет характеристик по прошествии времени.

Новая разрвботка будет иметь возможность обнаружить свое использование в компьютерах для складирования операционной системы, которая при включении питания будет загружаться сильно быстрее .