Американцы создали новый тип энергонезависимой памяти MRAM

Американская Фирма Freescale объявила о создании чипа магниторезистивной памяти - MRAM (Magnetoresistive RAM).

��реди ��тличительных ��собенностей MRAM ��ожно ��ыделить ��ысокую ��езвость ��тения �� ��акже ��аписи, ��равнимую �� ��амятью Static RAM, �� ��ысокий ��ровень ��нтеграции ��чеек.

��ранение ��анных ��а ��ипе ��существляется ��а ��чет ��агнитных, �� ��овсе ��е ��лектрических ��войств. ��ак ��амять ��вляется ��нергонезависимой, ��. ��. ��нформация ��охраняется ��а ��ей ��аже ��осле ��тключения ��итания. ��апоминающий ��лемент MRAM ��налогичен ��агниторезистивной г��ловке ��есткого ��иска.

��роизводство ��ипов MRAM ��бъемом 4 ��Б ��ачалось ��а ��абрике �� ��ризоне ��коло 2-�� ��есяцев ��азад. ��а ��рошедшее ��ремя ��ыл ��оздан ��оварный ��апас. ��азработка ��е ��анной ��ехнологии ��лилась ��пециалистами Freescale �� ��ечении 10 ��ет.

��ольшинство ��роизводители ��ипов, ��ключая IBM, г��дами ��азрабатывали ��одобную ��ехнологию, ��днако Freescale ��ервой ��олучилось ��делать ��ип, г��дный �� ��рактическому ��рименению �� ��ольшинстве ��овременных ��лектронных ��стройствах.

��о ��тзывам ��кспертов, ��азработку ��ипа MRAM ��вляется ��аиболее ��начимым ��остижением �� ��бласти ��амяти ��а ��оследнее ��есятилетие. �� ��ротивоположность ��т ��лэш-��амяти, ��акже ��пособной ��ранить ��анные ��ез ��одачи ��итания, MRAM ��бладает ��ольшей ��коростью ��тения/записи �� ��акже ��е ��еряет ��арактеристик ��о ��рошествии ��ремени.

��овая ��азрвботка ��удет ��меть ��озможность ��бнаружить ��вое ��спользование �� ��омпьютерах ��ля ��кладирования ��перационной ��истемы, ��оторая ��ри ��ключении ��итания ��удет ��агружаться ��ильно ��ыстрее .