45-нанометровая микросхема готова

25 января 2006 года Корпорация Intel объявила о создании первой в мире полнофункциональной микросхемы статической памяти SRAM емкостью 153 МБ, изготовленной по 45-нанометровой производственной технологии.

Корпорация Intel первой в мире в ноябре 2003 года создала микросхемы SRAM с использованием 65-нанометровой производственной технологии. Сейчас по этой технологии уже работают две фабрики в штатах Аризона а также Орегон, еще две - в Ирландии а также в штате Орегон - вступят в строй В текущем году.

" Корпорация Intel первой в мире начала массовое производство микросхем по 65-нанометровой технологии. Мы также первыми выпустили работоспособную микросхему, изготовленную с использованием 45-нанометровой технологии. Эти факты обращают внимание первенство корпорации Intel в технологической а также производственной сферах, - обратил внимание Билл Хоулт (Bill Holt), вице-президент а также главный менеджер подразделения Technology and Manufacturing Group корпорации Intel.- Корпорация Intel славится богатой историей технологических инноваций, внедрение которых приносит ощутимую пользу людям. Наша 45-нанометровая технология обеспечит базу для производства ПК с улучшенным соотношением производительности на один ватт потребленной электроэнергии, которые принесут свежие возможности для пользователей ".

45-нанометровая производственная технология Intel даст возможность выпускать микросхемы, ток утечки где снижен более чем в пять раз по сопоставлению с микросхема��и, выпускающимися в настоящее время. Это даст возможность увеличить время автономной работы мобильных устройств, и открыть свежие возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью. Помимо этого, более чем на 20% возрастет резвость переключения транзисторов.

Основой 45-нанометрового производственного процесса является 20-нанометровый транзистор, 1-ый образец которого был создан специалистами Intel в 2001 году. Применение подобных транзисторов даст возможность довести рабочую частоту микросхем до 20 ГГц, а рабочее напряжение уменьшить до 1 в а также менее.

Микросхема статической памяти емкостью 153 МБ, изготовленная по 45-нанометровой производственной технологии, содержит более 1 млрд. Транзисторов. Ее площадь составляет 0, 346 кв. Микрона, что составляет менее половины площади аналогичной микросхемы, изготовленной по технологии 65 нанометров. Не являясь серийным образцом, она демонстрирует результативность технологии, работоспособность процесса а также надежность микросхем в начале выпуска процессоров а также иных интегральных микросхем по 45-нанометровой производственной технологии.

Дальнейшим направлением развития 45-нанометрового технологического процесса ученые Intel видят переход К формированию транзисторов с металлическим затвором а также диэлектриком с высокой диэлектрической проницаемостью (так называемый High-K материал). Предполагается, что эта технология будет внедрена в серийное производство в 2007 году. К этому же году предполагается переход К использованию в производстве 300-мм пластин.

Основой для серийного производства по новой технологии станут свежие фабрики, в начале ориентированные на применение 45-нанометрового процесса. Кроме фабрики D1D в штате Орегон, где начиналось освоение 45-нанометрового производственного процесса, Intel строит аналогичную фабрику Fab 32 в штате Аризона. 1 декабря 2005 года Intel объявила о преддверии возведения 45-нанометровой Fab 28 в г. Кирьят-Гат в Израиле. Предприятие ценой $3, 5 млрд. Рассчитано на применение 300-мм пластин. Предполагается, что серийное производство на нем начнется во 2-ой части 2008 года .