45-нанометровая микросхема готова

25 января 2006 года Корпорация Intel объявила о создании первой в мире полнофункциональной микросхемы статической памяти SRAM емкостью 153 МБ, изготовленной по 45-нанометровой производственной технологии.

��орпорация Intel ��ервой �� ��ире �� ��оябре 2003 г��да ��оздала ��икросхемы SRAM �� ��спользованием 65-��анометровой ��роизводственной ��ехнологии. ��ейчас ��о ��той ��ехнологии ��же ��аботают ��ве ��абрики �� ��татах ��ризона �� ��акже ��регон, ��ще ��ве - �� ��рландии �� ��акже �� ��тате ��регон - ��ступят �� ��трой �� ��екущем г��ду.

" ��орпорация Intel ��ервой �� ��ире ��ачала ��ассовое ��роизводство ��икросхем ��о 65-��анометровой ��ехнологии. ��ы ��акже ��ервыми ��ыпустили ��аботоспособную ��икросхему, ��зготовленную �� ��спользованием 45-��анометровой ��ехнологии. ��ти ��акты ��бращают ��нимание ��ервенство ��орпорации Intel �� ��ехнологической �� ��акже ��роизводственной ��ферах, - ��братил ��нимание ��илл ��оулт (Bill Holt), ��ице-��резидент �� ��акже г��авный ��енеджер ��о��разделения Technology and Manufacturing Group ��орпорации Intel.- ��орпорация Intel ��лавится ��огатой ��сторией ��ехнологических ��нноваций, ��недрение ��оторых ��риносит ��щутимую ��о��ьзу ��юдям. ��аша 45-��анометровая ��ехнология ��беспечит ��азу ��ля ��роизводства ��К �� ��лучшенным ��оотношением ��роизводительности ��а ��дин ��атт ��о��ребленной ��лектроэнергии, ��оторые ��ринесут ��вежие ��озможности ��ля ��о��ьзователей ".

45-��анометровая ��роизводственная ��ехнология Intel ��аст ��озможность ��ыпускать ��икросхемы, ��ок ��течки г��е ��нижен ��олее ��ем �� ��ять ��аз ��о ��опоставлению �� ��икросхемами, ��ыпускающимися �� ��астоящее ��ремя. ��то ��аст ��озможность ��величить ��ремя ��втономной ��аботы ��обильных ��стройств, �� ��ткрыть ��вежие ��озможности ��ля ��оздания ��омпактных ��латформ �� ��асширенной ��ункциональностью. ��омимо ��того, ��олее ��ем ��а 20% ��озрастет ��езвость ��ереключения ��ранзисторов.

��сновой 45-��анометрового ��роизводственного ��роцесса ��вляется 20-��анометровый ��ранзистор, 1-��й ��бразец ��оторого ��ыл ��оздан ��пециалистами Intel �� 2001 г��ду. ��рименение ��о��обных ��ранзисторов ��аст ��озможность ��овести ��абочую ��астоту ��икросхем ��о 20 ��Гц, �� ��абочее ��апряжение ��меньшить ��о 1 �� �� ��акже ��енее.

��икросхема ��татической ��амяти ��мкостью 153 ��Б, ��зготовленная ��о 45-��анометровой ��роизводственной ��ехнологии, ��одержит ��олее 1 ��лрд. ��ранзисторов. ��е ��лощадь ��оставляет 0, 346 ��в. ��икрона, ��то ��оставляет ��енее ��о��овины ��лощади ��налогичной ��икросхемы, ��зготовленной ��о ��ехнологии 65 ��анометров. ��е ��вляясь ��ерийным ��бразцом, ��на ��емонстрирует ��езультативность ��ехнологии, ��аботоспособность ��роцесса �� ��акже ��адежность ��икросхем �� ��ачале ��ыпуска ��роцессоров �� ��акже ��ных ��нтегральных ��икросхем ��о 45-��анометровой ��роизводственной ��ехнологии.

��альнейшим ��аправлением ��азвития 45-��анометрового ��ехнологического ��роцесса ��ченые Intel ��идят ��ереход �� ��ормированию ��ранзисторов �� ��еталлическим ��атвором �� ��акже ��иэлектриком �� ��ысокой ��иэлектрической ��роницаемостью (��ак ��азываемый High-K ��атериал). ��редполагается, ��то ��та ��ехнология ��удет ��недрена �� ��ерийное ��роизводство �� 2007 г��ду. �� ��тому ��е г��ду ��редполагается ��ереход �� ��спользованию �� ��роизводстве 300-��м ��ластин.

��сновой ��ля ��ерийного ��роизводства ��о ��овой ��ехнологии ��танут ��вежие ��абрики, �� ��ачале ��риентированные ��а ��рименение 45-��анометрового ��роцесса. ��роме ��абрики D1D �� ��тате ��регон, г��е ��ачиналось ��своение 45-��анометрового ��роизводственного ��роцесса, Intel ��троит ��налогичную ��абрику Fab 32 �� ��тате ��ризона. 1 ��екабря 2005 г��да Intel ��бъявила �� ��реддверии ��озведения 45-��анометровой Fab 28 �� г. ��ирьят-��ат �� ��зраиле. ��редприятие ��еной $3, 5 ��лрд. ��ассчитано ��а ��рименение 300-��м ��ластин. ��редполагается, ��то ��ерийное ��роизводство ��а ��ем ��ачнется ��о 2-��й ��асти 2008 г��да .