![32-ядерные процессоры Intel будут упакованы по технологии BBUL [12.07.2006 11:03]](/pictures/12/78882.jpg) |
|
Продолжая тему о 32-ядерных процессорах Intel в 2010 году, ресурс DailyTech поведал про то, что для достижения результата Фирма планирует применять в собственных процессорах того периода технологию упаковки чипов BBUL (bumpless build-up layer), анонсированную еще в 2001 году. Она дает возможность минимизировать число слоев металлизации упаковки процессора и, соответственно, уменьшает её толщину и по��ребление энергии вне ядра. При её использовании ядро микропроцессора соединяется прямо С материалом упаковки, без по��ощи шариков припоя. говорится, что именно BBUL даст возможность Сделать шире нынешние " узкие места " и: Увеличить число ядер Увеличить частоту процессора Добавлять в процессор такие элементы как чипсет или контроллер памяти Уменьшить рабочее напряжение минимизировать индуктивность и электрические наводки Сделать упаковку тоньше и легче Увеличить энергетическую результативность процессоров. По данным уполномоченных Intel, нынешняя технология упаковки BGA (Ball Grid Array) требует слишком большого количества слоёв. Например, используется два внешних медных слоя и пластиковый слой С медными соединительными дорожками. Контакты, через которые проходит связь процессора С материнской платой, закреплены на нижнем медном слое, а собственно кремниевый кристалл - на верхнем. С технологией BBUL Intel планирует отказаться от верхней металлической по��ложки вовсе, а ядро процессора будет интегрировано конкретно на нижнюю из них. Несмотря на то, что В настоящее время Intel уже не говорит о BBUL как средстве для достижения 10-ГГц частоты, преимущество такой упаковки чипа налицо. Оно даст возможность интегрировать большее число ядер в одной упаковке, а так же среди них Сообщается о специализированных математических процессорах. Естественно, BBUL лишь часть тех усовершенствований, которые по��волят Intel добиться по��тавленной задачи - в их числе и EUV-литография, и разработка новых транзисторов, и использование High-K диэлектриков.. .
|