Продолжая тему о 32-ядерных процессорах Intel в 2010 году, ресурс DailyTech поведал про то, что для достижения результата Фирма планирует применять в собственных процессорах того периода технологию упаковки чипов BBUL (bumpless build-up layer), анонсированную еще в 2001 году. ��на ��ает ��озможность ��инимизировать ��исло ��лоев ��еталлизации ��паковки ��ро��ессора ��, ��оответственно, ��меньшает ��ё ��олщину �� ��отребление ��нергии ��не ��дра. ��ри ��ё ��спользовании ��дро ��икропроцессора ��оединяется ��рямо �� ��атериалом ��паковки, ��ез ��омощи ��ариков ��рипоя. г��ворится, ��то ��менно BBUL ��аст ��озможность ��делать ��ире ��ынешние " ��зкие ��еста " ��: У��еличить ��исло ��дер У��еличить ��астоту ��ро��ессора ��обавлять �� ��ро��ессор ��акие ��лементы ��ак ��ипсет ��ли ��онтроллер ��амяти У��еньшить ��абочее ��апряжение ��инимизировать ��ндуктивность �� ��лектрические ��аводки ��делать ��паковку ��оньше �� ��егче У��еличить ��нергетическую ��езультативность ��ро��ессоров. ��о ��анным ��полномоченных Intel, ��ынешняя ��ехнология ��паковки BGA (Ball Grid Array) ��ребует ��лишком ��ольшого ��оличества ��лоёв. ��апример, ��спользуется ��ва ��нешних ��едных ��лоя �� ��ластиковый ��лой �� ��едными ��оединительными ��орожками. ��онтакты, ��ерез ��оторые ��ро��одит ��вязь ��ро��ессора �� ��атеринской ��латой, ��акреплены ��а ��ижнем ��едном ��лое, �� ��обственно ��ремниевый ��ристалл - ��а ��ерхнем. �� ��ехнологией BBUL Intel ��ланирует ��тказаться ��т ��ерхней ��еталлической ��одложки ��овсе, �� ��дро ��ро��ессора ��удет ��нтегрировано ��онкретно ��а ��ижнюю ��з ��их. ��есмотря ��а ��о, ��то �� ��астоящее ��ремя Intel ��же ��е г��ворит �� BBUL ��ак ��редстве ��ля ��остижения 10-��Гц ��астоты, ��реимущество ��акой ��паковки ��ипа ��алицо. ��но ��аст ��озможность ��нтегрировать ��ольшее ��исло ��дер �� ��дной ��паковке, �� ��ак ��е ��реди ��их ��ообщается �� ��пециализированных ��атематических ��ро��ессорах. ��стественно, BBUL ��ишь ��асть ��ех ��совершенствований, ��оторые ��озволят Intel ��обиться ��оставленной ��адачи - �� ��х ��исле �� EUV-��итография, �� ��азработка ��овых ��ранзисторов, �� ��спользование High-K ��иэлектриков.. .
|