Samsung: OneNAND-память становится ещё быстрее

Фирма Samsung заявила о созданию 2-Гбит чипа OneNAND-памяти. Говорится, что свежие микросхемы будут делаться с использованием 60-нм технологии.

аппарата не только в два раза больше по объёму, чем предыдущее поколение OneNAND (1-Гб чипы) - резвость записи увеличилась с 9, 3 Мб/с до 17 Мб/с. Резвость последовательного чтения осталась аналогичный - 108 Мб/с, что сильно выше, чем у NAND-флэш (примерно 27 Мб/с).

Объединяющая в себе такие преимущества NOR-флэш, как надёжность и резвость, с большими объёмами NAND, OneNAND-память найдёт своё использование, к примеру, в гибридных HDD. При этом, объединив восемь подобных чипов, можно сделать накопитель объёмом 2 Гб со скоростью записи до 136 Мб/с. Думаем, что OneNAND ещё больше " подстегнёт " технологии, которым необходима быстрая энергонезависимая память - Robson, гибридные и твердотельные HDD и так далее .