Samsung: OneNAND-память становится ещё быстрее

Фирма Samsung заявила о созданию 2-Гбит чипа OneNAND-памяти. Говорится, что свежие микросхемы будут делаться с использованием 60-нм технологии.

��ппарата ��е ��олько �� ��ва ��аза ��ольше ��о ��бъёму, ��ем ��редыдущее ��околение OneNAND (1-��б ��ипы) - ��езвость ��аписи ��величилась �� 9, 3 ��б/с ��о 17 ��б/с. ��езвость ��оследовательного ��тения ��сталась ��налогичный - 108 ��б/с, ��то ��ильно ��ыше, ��ем �� NAND-��лэш (��римерно 27 ��б/с).

��бъединяющая �� ��ебе ��акие ��реимущества NOR-��лэш, ��ак ��адёжность �� ��езвость, �� ��ольшими ��бъёмами NAND, OneNAND-��амять ��айдёт ��воё ��спользование, �� ��римеру, �� г��бридных HDD. ��ри ��том, ��бъединив ��осемь ��одобных ��ипов, ��ожно ��делать ��акопитель ��бъёмом 2 ��б ��о ��коростью ��аписи ��о 136 ��б/с. ��умаем, ��то OneNAND ��щё ��ольше " ��одстегнёт " ��ехнологии, ��оторым ��еобходима ��ыстрая ��нергонезависимая ��амять - Robson, г��бридные �� ��вердотельные HDD �� ��ак ��алее .