DDR3 в 2007 году и другие планы ProMOS

Состоялся анонс 3-го предприятия (Fab 4) производителя памяти ProMOS Technologies, которое будет производить 300-м подложки.

то есть, сам факт открытия фабрики, которая займется производством NAND-флэш где-то в тайваньском Daya Township, вряд ли бы привлек внимание нашего интернет представительства. Примечательны планы организации, прозвучавшие из уст официальных лиц ProMOS, на событии.

Именно на текущей фабрике производитель планирует начать внедрение 60-нм технологического процесса в кооперации с Hynix Semiconductor и с применением 193-нм литографии. Кроме нее будут также использоваться 248-нм литографические инструменты. Массовое производство стартует на Fab 4 под конец 2007 года. Подчеркнем что В настоящее время в активе производитя лишь 130-нм производство NAND на 200-мм подложках.

на Fab 3 же в сентябре начнется внедрение 70-нм техпроцесса с массовым производством назначенным на второй квартал 2007 года. В текущий момент предприятие изготавливает 30 тыс. подложек ежемесячно. Данная продукция предназначена для выпуска DRAM, из которой предположительно две трети составляет DDR2, а треть - DDR. Если планы по улучшению этого производства осуществятся, ProMOS станет одним из пионеров, освоивших прогрессивную технологию для производства оперативной памяти. На сегодня ближе всех К этому подобрались Samsung и Infineon, остальные производители немного отстают.

ProMOS работает и над освоением DDR3, первые образцы которой Фирма хочет изготовить в первой части 2007 года. Подчеркнем, что на этом перспективном направлении тайваньцам помогают общие разработки, доставшиеся от бывшего партнерства как раз с Infineon Technologies. К сожалению, в массовых количествах DDR3 от ProMOS возникнет лишь ближе К концу года .