Sematech утверждает жизнеспособность high-k для норм 45 нм

В процессе 2-х докладов на симпозиуме, посвященном проблемам микросхем сверхбольшой степени интеграции или СБИС (2006 Symposium on VLSI Technology), инженеры Sematech показали технические детали материалов для металлических электродов, на базе которых можно создавать нМОП (nMOS) транзисторы с малым пороговым уровнем напряжения, используя изоляторы с большой диэлектрической постоянной (т. Н. High-k).

��омимо ��того, ��ыло ��ассказано �� ��одходе, ��озволяющем ��роизводить ����анзисторы �� ��облюдением ��орм 45-��м ����хпроцесса �� ��алым ��отребляемым ����ком �� ��ежиме ��жидания.

�� ��ервом ��остижении г��уппы Sematech Advanced Gate Stack ��месте �� Texas Instruments (TI) ��же ��аявлялось ��той ��есной: �� ��олевом ����анзисторе ��труктуры nMOSFET �� ��еталлическими ��лектродами, ��ффективным ��ри 4, 0 ��В. ���� ��импозиуме ��полномоченный Sematech ��оведал ��б ��тогах ����ехлетней ��аботы ��ри ��частии ��ескольких ��ниверситетов �� ��омпаний, ��а��равленной ��а ��дентификацию ��атериалов ��ля nMOS-��еталлических ��лектродов. �� ��роцессе ��той ��аботы ��ыло ��сследовано ��олее 250 ��азных ��атериалов ��а ��азных ��золяторах �� ��ыло ��оказано, ��то ��тандартный ��МОП-��роцесс �� ��спользованием high-k ��иэлектриков ��ожно ��рименять �� ��а ��олее ����нких, ��ежели ��егодня, ��ормах ����хнологического ��роцесса. ����пример, 45 ��м.

��о 2-�� ��тчете ��ыло ��ассказано �� ��овой ����хнологии DHDMG (dual high-k, dual metal Gate - ��войной ��еталлический ��атвор �� ��золятором, ��бладающим ��ысокой ��иэлектрической ��остоянной), ��озволяющей ��оздавать ��МОП-����анзисторы �� ��алым ��ассивным ����ком ��отребления.

����к, ��ожно ��казать, ��то ��одход Intel, ��спользующей " ����адиционные " high-k ��иэлектрики (�� ����кже " ��ухую " ��итографию, ��о ��то �� ��елу ��е ��тносится) ��ля 65-��м ��орм �� ��обирающейся ��елать ���� ��е ��а��более �� ��ля 45-��м ��орм, ��олучил ��а��чное ��боснование, ��равда, �� ��екоторыми ��говорками �� ��иде ����хнологий ��войных ��атворов. �� ��то ��нает, ��меет ��озможность ��ыть, �� ��едалеком ��удущем ��нженерам ��олучится ��оказать ��озможность ��рименения ����адиционных ����хнологий �� ��ля 32-��м ?