Транзисторы, разработанные NEC, будут иметь 65, 45-нм и даже более тонкий техпроцесс

NEC Corporation также представила новинку " из области транзисторостроения ".

��ыла ��нонсирована ��овместная ��азработка ��ля ��роизводства ��ысокопроизводительных SOC-��стройств ��а ��есте ��азирования ��лементов, ��роизведенных ��о 65-��м �� 45-��м ��ормам. ��азработанная ��ехнология ��ает ��озможность ��роизводить ��еталлизированные ��ранзисторы �� ��ольшой ��иэлектрической ��остоянной (metal/high-k).

��езультаты ��сследований ��остигнуты ��з-��а:

��спользованию ��ысоконадежного ��леночного ��иэлектрика HfSiON (Hf) �� ��икель-��илицидного ��атвора
��странению ��лияния ��азы ��ристаллизации ��а Ni-FUSI ��атворе
��спользованию ��омбинации NiSi (n-FET) �� Ni3Si (p-FET) ��ля ��адежной ��аботы
��онтролю ��ысоты �� ��ирины ��атвора
��о ��егодня ��уществовало ��есколько ��роблем, ��вязанных �� ��роизводством ��ранзисторов ��одобного ��ода (metal/high-k), ��ни ��мели ��евысокую ��роизводительность ��ри ��лительной ��аботе ��лагодаря ��ысокой ��течки ��ерез ��льтратонкий ��тек ��атвора. ��овая ��ехнология ��роизводства NEC ��ешает ��ту ��сновную ��роблему. �� ��ому ��е, ��ебестоимость ��роизводства ��ранзисторов ��о ��овой ��ехнологии ��ает ��бещание ��ыть ��иже. ��то ��аст ��озможность ��оздавать ��ортативную ��отребительскую ��лектронику �� ��есьма ��изким ��нергопотреблением.

��овая ��ехнология ��роизводства ��ранзисторов ��ыла ��редставлена ��омпанией NEC ��а ��рошедшем �� ��ША ��импозиуме " 2006 symposium VLSI " .