Фирма Samsung Electronics, мировой лидер в области устройств Для складирования данных, заявляет о начале массового производства первой в промышленности NAND флэш-памяти С трехмерной структурой упаковки чипа а также вертикальным расположением ячеек. Новинка дает возможность преодолеть существующие лимиты масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND С выгодным соотношением производительности а также размера будет использоваться в широком спектре потребительской электроники а также корпоративных приложений, а так же среди них встраиваемой NAND-памяти а также твердотельных накопителях (SSD). 1-��й ��ип Samsung V-NAND ��бъёмом 128 ��бит ��спользует ��ехнологию 3D Charge Trap Flash (CTF), ��беспечивающую ��ольшую ��адёжность ��аботы �� ��ак��е �� ��оже ��амое ��ремя ��озволяющую ��меньшить ��тоимость ��ипов ��лэш-��амяти ��о ��опоставлению �� ��лассическими ��чейками �� ��лавающим ��атвором, �� ��ехнологию ��ногослойной ��омпоновки �� ��ертикальным�� ��нутричиповыми ��оединениями. " ��овая ��ехнология 3D V-NAND ��вляется ��езультатом ��ноголетних ��азработок ��аших ��кспертов. ��елью Samsung ��ыло ��ыйти ��а ��олномочия ��радиционных ��пособов ��ышления �� ��ак��е ��реодолеть ��уществующие ��имиты �� ��оздании ��паковки ��олупроводниковой ��амяти ��ри ��омощи ��нновационных ��ешений, - г��ворит ��жон-��ек ��ой (Jeong-Hyuk Choi), ��тарший ��ице-��резидент ��аправления ��лэш-��амяти �� ��ак��е ��ехнологий ��рганизации Samsung Electronics.- ��месте �� ��апуском ��роизводства ��ервой �� ��ире 3D V-NAND ��лэш-��амяти ��ы ��родолжим ��редставлять ��вежие 3D V-NAND ��ппарата �� ��лучшенной ��роизводительностью �� ��ак��е ��олее ��ысокой ��лотностью. ��то ��оспособствует ��альнейшему ��осту ��ировой ��ромышленности ��родуктов ��амяти ". ��а ��ротяжении ��оследних 40 ��ет ��лэш-��амять ��оздавалась ��а ��азе ��лоских ��днослойных ��труктур �� ��чейками �� ��лавающим ��атвором. ��днако ��осле ��своения ��роцесса ��роизводства �� ��опологическим ��азмером 10-��м ��асштаба ��озникла ��еобходимость �� ��овых ��ехнологических ��ешениях, ��ак ��ак ��нтерференция ��ежду ��оседними ��чейками ��риводила �� ��меньшению ��езотказности NAND-��амяти. ��опытки ��ешить ��озникающие ��роблемы �� ��амках ��лассических ��ехнологий ��лекла ��а ��обой ��величение ��ремени ��азработки �� ��ак��е ��тоимости ��ипов ��амяти. ��овинка V-NAND ��ешает ��ти ��ехнические ��роблемы, ��ыходя ��а ��овый ��ровень ��азработки �� ��оздания ��ипов NAND-��амяти ��з-��а ��нновациям �� ��труктуре, ��хемотехнике �� ��ак��е ��роизводственном ��роцессе. ��ля ��того Samsung ��бновила ��азработанную �� 2006 г��ду ��ехнологию 3D Charge Trap Flash. �� CTF-��онструкции ��лектрический ��аряд (��пределяющий ��ранящиеся �� ��чейке ��амяти ��анные) ��ременно ��омещается �� ��пециальную ��золированную ��бласть ��чейки ��з ��епроводящего ��итрида ��ремния (SiN) ��аместо ��спользуемого �� ��лассических ��ехнологиях ��лавающего ��атвора ��олевого ��ранзистора ��ля ��редотвращения ��нтерференции ��ежду ��оседними ��чейками ��амяти. ��з-��а ��рехмерной ��труктуре ��лоев �� CTF-��онструкции ��олучилось ��ильно ��величить ��адежность �� ��ак��е ��езвость ��амяти. ��овая 3D V-NAND ��е ��олько ��емонстрирует ��величение ��езотказности ��т 2 ��о 10 ��аз, ��о �� �� ��ва ��аза ��овышает ��езвость ��аписи ��о ��опоставлению �� ��бычной NAND-��амятью �� ��лавающим ��атвором, ��ак��е ��зготовленной ��о ��роцессу 10-��м ��ласса. ��омимо ��того, ��дним ��з ��аиболее г��авных ��ехнологических ��остижений Samsung V-NAND ��вляется ��ертикальная ��омпоновка ��чеек, ��озволяющая ��бъединить ��о 24 ��лоев �� ��дном ��ипе ��амяти. ��ри ��том ��пециальная ��ехнология ��равления ��ает ��озможность ��формировать ��ертикальные ��роводящие ��аналы, ��оединяющие ��лои ��т ��ерхнего ��о ��ижнего. ��овая ��ертикальная ��труктура ��оможет Samsung ��ыпускать NAND ��лэш-��амять ��олее ��ысокой ��мкости ��а ��чет ��величения ��исла 3D-��лоев ��чеек ��аместо ��альнейшего ��аращивания ��лощади ��ипа, ��риводящего �� ��епропорциональному ��осту ��рудозатрат ��а ��го ��роизводство. ��а 10 ��ет ��сследований 3D NAND �� ��ертикальной ��омпоновкой ��чеек Samsung ��апатентовала ��олее 300 ��ехнологий ��роизводства 3D-��амяти ��о ��сем ��ире. �� ��ервой ��олностью ��ункциональной 3D NAND ��лэш-��амятью ��ирма ��силила ��вою ��онкурентоспособность �� ��ак��е ��скорила ��ост ��ромышленности �� ��елом, �� ��оздала ��снову ��ля ��роизводства ��олее ��родвинутых ��родуктов, ��ключая ��ипы NAND ��лэш-��амяти �� ��мкостью 1 ��бит. ��о ��олученной ��нформации ISuppli IHS, ��оказатель ��рихода ��енежных ��редств ��ирового ��ынка NAND ��лэш-��амяти ��озрастет ��т $23, 6 ��лрд. �� 2013 г��ду �� ��ак��е ��о $30, 8 ��лрд. �� ��онцу 2016 г��да ��ри ��реднегодовом ��емпе ��овышения �� ��диннадцать %. Samsung Electronics Co., Ltd. ��вляется ��едущим ��ировым ��оставщиком ��отребительской ��лектроники �� ��ак��е ��лючевых ��омпонентов ��ля ��е ��роизводства. У��еляя ��ольшое ��нимание ��сследованиям �� ��ак��е ��нновациям, ��ы ��еняем ��ир ��елевизоров, ��мартфонов, ��ерсональных ��омпьютеров, ��ринтеров, ��амер, ��ытовых ��риборов, ��едицинских ��стройств, ��олупроводников �� ��ак��е ��ветодиодных ��ешений. �� 79 ��транах �� ��ас ��аботают 236. 000 ��еловек, �� г��довой ��бъем ��родаж ��рганизации ��ревышает $187, 8 ��лрд. ��аша ��ель ��аключается �� ��ткрытии ��овых ��озможностей ��ля ��юдей ��о ��сех ��голках ��ланеты. ��тобы ��знать ��ольше, ��осетите ��айт www. Samsung. Com .
|