It's Now!
02.09.2013 10:39

Samsung начинает выпуск первой в мире трехмерной NAND-памяти

Samsung начинает выпуск первой в мире трехмерной NAND-памяти [02.09.2013 10:39]Фирма Samsung Electronics, мировой лидер в области устройств Для складирования данных, заявляет о начале массового производства первой в промышленности NAND флэш-памяти С трехмерной структурой упаковки чипа а также вертикальным расположением ячеек. Новинка дает возможность преодолеть существующие лимиты масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND С выгодным соотношением производительности а также размера будет использоваться в широком спектре потребительской электроники а также корпоративных приложений, а так же среди них встраиваемой NAND-памяти а также твердотельных накопителях (SSD).



1-��й �ип Samsung V-NAND �бъёмом 128 �бит �спользует �ехнологию 3D Charge Trap Flash (CTF), �беспечивающую �ольшую �адёжность �аботы �ак��е �оже �амое �ремя �озволяющую �меньшить �тоимость �ипов �лэш-�амяти �о �опоставлению �лассическими �чейками �лавающим �атвором, �ехнологию �ногослойной �омпоновки �ертикальным��нутричиповыми �оединениями.



" �овая �ехнология 3D V-NAND �вляется �езультатом �ноголетних �азработок �аших �кспертов. �елью Samsung �ыло �ыйти �а �олномочия �радиционных �пособов �ышления �ак��е �реодолеть �уществующие �имиты �оздании �паковки �олупроводниковой �амяти �ри �омощи �нновационных �ешений, - г��ворит �жон-�ек �ой (Jeong-Hyuk Choi), �тарший �ице-�резидент �аправления �лэш-�амяти �ак��е �ехнологий �рганизации Samsung Electronics.- �месте �апуском �роизводства �ервой �ире 3D V-NAND �лэш-�амяти �ы �родолжим �редставлять �вежие 3D V-NAND �ппарата �лучшенной �роизводительностью �ак��е �олее �ысокой �лотностью. �то �оспособствует �альнейшему �осту �ировой �ромышленности �родуктов �амяти ".



�а �ротяжении �оследних 40 �ет �лэш-�амять �оздавалась �а �азе �лоских �днослойных �труктур �чейками �лавающим �атвором. �днако �осле �своения �роцесса �роизводства �опологическим �азмером 10-��м �асштаба �озникла �еобходимость �овых �ехнологических �ешениях, �ак �ак �нтерференция �ежду �оседними �чейками �риводила �меньшению �езотказности NAND-��амяти. �опытки �ешить �озникающие �роблемы �амках �лассических �ехнологий �лекла �а �обой �величение �ремени �азработки �ак��е �тоимости �ипов �амяти.



�овинка V-NAND �ешает �ти �ехнические �роблемы, �ыходя �а �овый �ровень �азработки �оздания �ипов NAND-��амяти �з-�а �нновациям �труктуре, �хемотехнике �ак��е �роизводственном �роцессе. �ля �того Samsung �бновила �азработанную 2006 г��ду �ехнологию 3D Charge Trap Flash. CTF-��онструкции �лектрический �аряд (�пределяющий �ранящиеся �чейке �амяти �анные) �ременно �омещается �пециальную �золированную �бласть �чейки �з �епроводящего �итрида �ремния (SiN) �аместо �спользуемого �лассических �ехнологиях �лавающего �атвора �олевого �ранзистора �ля �редотвращения �нтерференции �ежду �оседними �чейками �амяти.



�з-�а �рехмерной �труктуре �лоев CTF-��онструкции �олучилось �ильно �величить �адежность �ак��е �езвость �амяти. �овая 3D V-NAND �е �олько �емонстрирует �величение �езотказности �т 2 �о 10 �аз, �о �ва �аза �овышает �езвость �аписи �о �опоставлению �бычной NAND-��амятью �лавающим �атвором, �ак��е �зготовленной �о �роцессу 10-��м �ласса.



�омимо �того, �дним �з �аиболее г��авных �ехнологических �остижений Samsung V-NAND �вляется �ертикальная �омпоновка �чеек, �озволяющая �бъединить �о 24 �лоев �дном �ипе �амяти. �ри �том �пециальная �ехнология �равления �ает �озможность �формировать �ертикальные �роводящие �аналы, �оединяющие �лои �т �ерхнего �о �ижнего. �овая �ертикальная �труктура �оможет Samsung �ыпускать NAND �лэш-�амять �олее �ысокой �мкости �а �чет �величения �исла 3D-��лоев �чеек �аместо �альнейшего �аращивания �лощади �ипа, �риводящего �епропорциональному �осту �рудозатрат �а �го �роизводство.



�а 10 �ет �сследований 3D NAND �ертикальной �омпоновкой �чеек Samsung �апатентовала �олее 300 �ехнологий �роизводства 3D-�амяти �о �сем �ире. �ервой �олностью �ункциональной 3D NAND �лэш-�амятью �ирма �силила �вою �онкурентоспособность �ак��е �скорила �ост �ромышленности �елом, �оздала �снову �ля �роизводства �олее �родвинутых �родуктов, �ключая �ипы NAND �лэш-�амяти �мкостью 1 �бит.



�о �олученной �нформации ISuppli IHS, �оказатель �рихода �енежных �редств �ирового �ынка NAND �лэш-�амяти �озрастет �т $23, 6 �лрд. 2013 г��ду �ак��е �о $30, 8 �лрд. �онцу 2016 г��да �ри �реднегодовом �емпе �овышения �диннадцать %.



Samsung Electronics Co., Ltd. �вляется �едущим �ировым �оставщиком �отребительской �лектроники �ак��е �лючевых �омпонентов �ля �е �роизводства. У��еляя �ольшое �нимание �сследованиям �ак��е �нновациям, �ы �еняем �ир �елевизоров, �мартфонов, �ерсональных �омпьютеров, �ринтеров, �амер, �ытовых �риборов, �едицинских �стройств, �олупроводников �ак��е �ветодиодных �ешений. 79 �транах �ас �аботают 236. 000 �еловек, г��довой �бъем �родаж �рганизации �ревышает $187, 8 �лрд. �аша �ель �аключается �ткрытии �овых �озможностей �ля �юдей �о �сех �голках �ланеты. �тобы �знать �ольше, �осетите �айт www. Samsung. Com .

Samsung начинает выпуск первой в мире трехмерной NAND-памяти
Rambler's Top100 Copyright © It's  Now!