Samsung начинает выпуск первой в мире трехмерной NAND-памяти

Фирма Samsung Electronics, мировой лидер в области устройств Для складирования данных, заявляет о начале массового производства первой в промышленности NAND флэш-памяти С трехмерной структурой упаковки чипа а также вертикальным расположением ячеек. Новинка дает возможность преодолеть существующие лимиты масштабируемости энергонезависимой памяти. 3D V-NAND С выгодным соотношением производительности а также размера будет использоваться в широком спектре потребительской электроники а также корпоративных приложений, а так же среди них встраиваемой NAND-памяти а также твердотельных накопителях (SSD).



1-ый чип Samsung V-NAND объёмом 128 Гбит использует технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), обеспечивающую большую надёжность работы а также в тоже самое время позволяющую уменьшить стоимость чипов флэш-памяти по сопоставлению С классическими ячейками С плавающим затвором, и технологию многослойной компоновки С вертикальными внутричиповыми соединениями.



" Новая технология 3D V-NAND является результатом многолетних разработок наших экспертов. Целью Samsung было выйти за полномочия традиционных способов мышления а также преодолеть существующие лимиты в создании упаковки полупроводниковой памяти При помощи инновационных решений, - говорит Чжон-Хек Чой (Jeong-Hyuk Choi), старший вице-президент направления флэш-памяти а также технологий организации Samsung Electronics.- вместе С запуском производства первой в мире 3D V-NAND флэш-памяти мы продолжим представлять свежие 3D V-NAND аппарата С улучшенной производительностью а также более высокой плотностью. Это поспособствует дальнейшему росту мировой промышленности продуктов памяти ".



на протяжении последних 40 лет флэш-память создавалась на базе плоских однослойных структур С ячейками С плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства С топологическим размером 10-нм масштаба возникла необходимость в новых технологических решениях, так как интерференция между соседними ячейками приводила к уменьшению безотказности NAND-памяти. Попытки решить возникающие проблемы в рамках классических технологий влекла за собой увеличение времени разработки а также стоимости чипов памяти.



Новинка V-NAND решает эти технические проблемы, выходя на новый уровень разработки и создания чипов NAND-памяти из-за инновациям в структуре, схемотехнике а также производственном процессе. Для этого Samsung обновила разработанную в 2006 году технологию 3D Charge Trap Flash. В CTF-конструкции электрический заряд (определяющий хранящиеся в ячейке памяти данные) временно помещается в специальную изолированную область ячейки из непроводящего нитрида кремния (SiN) заместо используемого в классических технологиях плавающего затвора полевого транзистора Для предотвращения интерференции между соседними ячейками памяти.



из-за трехмерной структуре слоев в CTF-конструкции получилось сильно увеличить надежность а также резвость памяти. Новая 3D V-NAND не только демонстрирует увеличение безотказности от 2 до 10 раз, но и в два раза повышает резвость записи по сопоставлению С обычной NAND-памятью С плавающим затвором, также изготовленной по процессу 10-нм класса.



помимо этого, одним из наиболее главных технологических достижений Samsung V-NAND является вертикальная компоновка ячеек, позволяющая объединить до 24 слоев в одном чипе памяти. При этом специальная технология травления дает возможность сформировать вертикальные проводящие каналы, соединяющие слои от верхнего до нижнего. Новая вертикальная структура поможет Samsung выпуск��ть NAND флэш-память более высокой емкости за счет увеличения числа 3D-слоев ячеек заместо дальнейшего наращивания площади чипа, приводящего к непропорциональному росту трудозатрат на его производство.



за 10 лет исследований 3D NAND С вертикальной компоновкой ячеек Samsung запатентовала более 300 технологий производства 3D-памяти во всем мире. С первой полностью функциональной 3D NAND флэш-памятью Фирма усилила свою конкурентоспособность а также ускорила рост промышленности в целом, и создала основу Для производства более продвинутых продуктов, включая чипы NAND флэш-памяти С емкостью 1 Тбит.



по полученной информации ISuppli IHS, показатель прихода денежных средств мирового рынка NAND флэш-памяти возрастет от $23, 6 млрд. В 2013 году а также до $30, 8 млрд. К концу 2016 года При среднегодовом темпе повышения в одиннадцать %.



Samsung Electronics Co., Ltd. Является ведущим мировым поставщиком потребительской электроники а также ключевых компонентов Для ее производства. Уделяя большое внимание исследованиям а также инновациям, мы меняем мир телевизоров, смартфонов, персональных компьютеров, принтеров, камер, бытовых приборов, медицинских устройств, полупроводников а также светодиодных решений. В 79 странах у нас работают 236. 000 человек, а годовой объем продаж организации превышает $187, 8 млрд. Наша цель заключается в открытии новых возможностей Для людей во всех уголках планеты. Чтобы узнать больше, посетите сайт www. Samsung. Com .