Hynix Semiconductor хочет немного сместить акценты в деле производства модулей памяти. ��е ��ланы ��одразумевают ��живление ��ынка ��амяти ��ля ��идеоадаптеров. ��ыночная ��оля ��рганизации Hynix> �� 2005 г��ду ��остигла ��тметки �� 40%, ��о ��озицию ��уководителя ��тняла Samsung Electronics Corporation, ��оторая ��ышла ��перед ��з-��а ��ировым ��оставкам ��амяти GDDR2/3 ��ля ��идеорешений. �� ��идеоадаптерах ��ижнего �� ��реднего ��енового ��егмента ��ля ��нижения ��бщей ��тоимости ��рименялись ��одули DDR1 �� DDR2. ��о ��ере ��ого ��ак ��родукты ��реднего ��енового ��иапазона ��ачали ��остепенно ��ереходить �� ��спользованию GDDR3, ��роизводители ��се ��енее ��хотно ��спользовали ��олее ��едленные �� ��нергетически ��рожорливые DDR1 �� DDR2 ��одули. Hynix> ��очет ��огнать Samsung, ��делив ��собое ��нимание ��роизводству " ��идеопамяти ". ��ля ��того ��удут ��екомбинированы ��роизводственные ��ощности �� ��ачнется ��ассовый ��ыпуск GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4th Generation). ��спомним, ��то ��ще ��од ��онец ��рошедшего г��да ��беими ��омпаниями (Hynix>, Samsung) ��ыли ��бъявлены ��ервые ��естовые ��бразцы ��одулей ��амяти GDDR4. �� Samsung ��есколько ��пережала Hynix>... ��о ��астоящему ��ела, GDDR4 ��вляется ��лучшенной ��ерсией GDDR3, ��оторая ��ает ��озможность ��обиться ��олее ��ысоких ��абочих ��астот, �� ��следствие, �� ��роизводительности. ��ропускная ��пособность 2, 9-��Гц ��одулей Hynix> GDDR4 ��оставляет ��диннадцать, 6-14, 4 ��б/с (��еоретический ��аксимум). ��ринимая ��о ��нимание ��ысокие ��аявленные ��арактеристики GDDR4 ��прос ��а ��ее ��ает ��бещание ��ыть ��ысоким, ��. ��. ��акие ��роизводители, ��ак ATI, ��же ��аявили �� ��амерении ��рименять ��амять ��ового ��бразца �� ��обственных ��родуктах .
|